【赛迪网讯】全球第三大存储芯片制造商，韩国HynixSemiconductor公司周四宣称它开发出了世界上最快的存储芯片——550MHzDDRSDRAM（双倍数据速率－同步动态随机存取存储）芯片，并准备于从四月开始投入量产。

　　Hynix称该成就是该公司推出500MHz DDR SDRAM之后不到八个月的时间内取得的。

　　DDR-SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM的升级版本，因此也称为SDRAMII。其最重要的改变是在界面数据传输上，它在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR（SingleDataRate）SDRAM的2倍。

　　Hynix的一个官员表示，新芯片采用的是0.11微米的生产工艺，它能为台式机和笔记本电脑上的图形处理，尤其是电脑游戏，带来性能上的提升。